IPC 서브클래스H10P클래스 H10에 분류되는 소자의 제조 또는 처리를 위한 일반적인 공정 또는 장치

H10P의 메인그룹

메인그룹은 서브클래스를 다시 주제별로 나눈 단위로, 기호가 ○/00으로 끝납니다. 괄호 안 참조는 다른 분류로 가야 하는 경우입니다.

기호	분류 내용
층, 구조 또는 재료의 형성
`H10P 10/00`	웨이퍼, 기판 또는 소자 부품의 본딩
`H10P 14/00`	재료의 형성, 예. 층 또는 기둥의 형상으로
층, 구조 또는 재료의 개질
`H10P 30/00`	웨이퍼, 기판 또는 소자 일부에 이온 주입
`H10P 32/00`	웨이퍼, 기판 또는 소자 일부의 내부에서, 내부로, 또는 외부로의 도펀트의 확산( 재료의 형성 중 H10P14/00)
`H10P 34/00`	웨이퍼, 기판 또는 소자 일부에 전자기 또는 입자 방사선 조사
`H10P 36/00`	반도체 본체 내부의 게터링
층, 구조 또는 재료의 제거
`H10P 50/00`	웨이퍼, 기판 또는 소자의 일부의 식각
`H10P 52/00`	웨이퍼, 기판 또는 소자 일부의 연삭, 래핑 또는 연마
`H10P 54/00`	웨이퍼, 기판 또는 소자 일부의 절단 또는 분리
`H10P 56/00`	웨이퍼, 기판 또는 소자 일부의 디본딩
`H10P 58/00`	웨이퍼 또는 기판을 여러 개의 칩으로 개별화하는 것, 즉. 다이싱
기타 제조 또는 처리
`H10P 70/00`	웨이퍼, 기판 또는 소자 일부의 세정
`H10P 72/00`	웨이퍼, 기판 또는 소자를 제조 또는 처리하는 동안의 취급 또는 고정
`H10P 74/00`	웨이퍼, 기판 또는 소자를 제조 또는 처리하는 동안의 테스트 또는 측정
`H10P 76/00`	반도체 본체 상의 마스크의 제조 또는 처리, 예. 리소그래피 또는 포토그래피에 의한 것
`H10P 90/00`	이 서브클래스의 단일 메인그룹에 포함되지 않는 웨이퍼의 준비, 예. 웨이퍼 강화
`H10P 95/00`	이 서브클래스의 다른 그룹에서 포함하지 않는 제조 또는 처리를 위한 일반적인 공정 또는 장치

H10P로 선행기술 찾기

키프리스에서 분류로 거르기특허정보넷 키프리스 상세검색의 IPC 칸에 H10P를 넣고 핵심 단어를 함께 걸면 이 서브클래스 문헌만 모입니다.
메인그룹으로 좁히기문헌이 너무 많으면 위 표에서 가장 가까운 메인그룹 기호로 범위를 줄입니다.
참조 분류도 함께괄호 안 참조 분류는 비슷한 기술이 따로 모이는 곳이니 같이 확인합니다.

분류 검색은 출발점입니다. 청구항과 비교해 등록 가능성을 판단하는 단계는 선행기술조사에서 설명합니다.

클래스 H10의 다른 서브클래스

분류 명칭은 지식재산처 IP·기술 분류 종합서비스의 IPC 한글 분류표를 바탕으로 정리했습니다(2026-10-04 기준). 서브그룹과 분류 정의는 원문에서 확인할 수 있습니다.

해당 사이트는 일반적인 내용을 담고 있으므로 개개인별 문의사항은 특허법인, 특허법률사무소에 의뢰하여 사건을 진단받으시길 바랍니다.

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